键合方式是芯片封装性能的重要决定因素，直接影响芯片内部及外部的连接质量。随着从传统的引线键合向先进的倒装封装技术转变，凸点互连成为主流，常见的凸点材料包括铜柱、金、镍、铟等单质金属，以及锡基焊料和聚合物等。未来，混合键合技术有望实现无凸点连接，突破现有凸点间距限制。 混合键合技术因去除凸点和焊料，能够实现极细微的间距，连接密度明显提升。据统计，混合键合的间距可达0.1-0.5微米，连接密度高达每平方毫米10万至100万，远超传统键合技术。市场研究显示，混合键合设备市场预计从2020年的600万美元增长到2027年的2.32亿美元，年复合增长率高达69%，展现出巨大的发展潜力。 在存储芯片领域，SK海力士计划在未来的HBM4产品中引入混合键合技术，以实现更多层数的堆叠并降低层间高度。三星电子也已成功制造基于混合键合的16层HBM3内存样品，并计划将其技术应用于HBM4量产。投资方面，建议重点关注算力和HBM产业链相关企业，同时关注国产IC制造产业的复苏机会。需要注意的是，混合键合技术的研发进展和成本控制仍存在不确定风险。